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LSIC2SD065D16A

更新时间： 2023-12-06 20:13:06

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力特 - LITTELFUSE		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
5页	689K
描述
此系列碳化硅（SiC）肖特基二极管具有可忽略不计的反向恢复电流、高浪涌承受能力以及175°的最高工作结温。对于需要提高效率、可靠性与热管理的应用而言，这些二极管系列是理想选择。功能与特色应用

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LSIC2SD065D16A 数据手册

GEN2 SiC Schottky Diode

LSIC2SD065D16A, 650V, 16 A,TO-263-2L (D2PAK)

Electrical Characteristics (T_J= 25 °C unless otherwise speciﬁed)

Value

Typ.

Characteristics

Symbol

Conditions

Unit

SiC Schottky Diode

Min.

Max.

1.5

1.8

I_F= 16 A, T_J= 25 °C

Forward Voltage

V_F

I_R

1.85

I_F= 16 A, T_J= 175 °C

V_R= 650 V, T_J= 25 °C

V_R= 650 V, T_J= 175 °C

V_R= 1 V, f = 1 MHz

Reverse Current

Total Capacitance

μA

730

V_R= 200 V, f = 1 MHz

V_R

V_R= 400 V, f = 1 MHz

C(V)dV

Qc =

∫

V_R

Total Capacitive Charge

Q_C

V_R= 400 V,

C(V)dV

Qc =

∫

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance

1.2

°C/W

R _JC

Figure 1:Typical Foward Characteristics

Figure 2:Typical Reverse Characteristics

T_J

= 25 °C

T_J= 150 °C

T_J= 175 °C

T_J

= 125 °C

T_J

= -55 °C

0.25

0.5

0.75

1.25

1.5

1.75

Voltage (V)

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: October 19, 2020 5:05 PM

123 4 5

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