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LSIC1MO120G0040

更新时间: 2023-12-06 20:13:24
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力特 - LITTELFUSE 布线PC
页数 文件大小 规格书
10页 506K
描述
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LSIC1MO120G0040  
Silicon Carbide MOSFET Datasheet  
Figure 7. Typical Reverse Conduction Characteristics (TJ = 175 °C)  
Figure 8. Typical Reverse Conduction Characteristics (TJ = -55 °C)  
Reverse Voltage, VSD (V)  
Reverse Voltage, VSD (V)  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
-5 V  
0 V  
-5 V  
0 V  
5 V  
5 V  
10 V  
VGS = 20 V  
15 V  
15 V  
VGS = 20 V  
10 V  
Figure 9. Transient Thermal Impedance  
Figure 10. Maximum Safe Operating Area (TC = 25 °C)  
1E+0  
1000  
Duty = 0.5  
0.3  
100  
10  
1
1E-1  
1E-2  
1E-3  
1E-4  
Pulse  
10 µs  
0.1  
0.05  
100 µs  
0.02  
0.01  
1 ms  
100 ms  
Single Pulse  
1E-5  
0.1  
(Single Pulse)  
0.01  
1E-6  
1E-4  
1E-3  
1E-2  
1E-1  
1E+0  
0.1  
1
10  
100  
1000  
Pulse Width (s)  
Drain-Source Voltage, VDS (V)  
Figure 11. On-resistance vs. Drain Current  
Figure 12. Normalized On-resistance vs. Junction Temperature  
120  
1.6  
1.4  
1.2  
1
TJ = 175 °C  
-55 °C  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0.8  
0.6  
0.4  
25 °C  
0.2  
(VGS = 20 V)  
(VGS = 20 V, ID = 40 A)  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
-75 -50 -25  
0
25 50 75 100 125 150 175 200  
Drain Current, ID (A)  
J unction Tem perature, TJ (°C)  
6
Specifications are subject to change without notice.  
Read complete Disclaimer Notice at www.littelfuse.com/disclaimer-electronics.  
© 2021 Littelfuse, Inc.  
Revised: 2/26/2021  

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