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LP62S4096EU-55LLI

更新时间: 2024-09-16 22:20:27
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联笙电子 - AMICC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 164K
描述
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM

LP62S4096EU-55LLI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TFBGA, BGA36,6X8,30Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B36
JESD-609代码:e0长度:8 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:36字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA36,6X8,30封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000003 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM宽度:6 mm

LP62S4096EU-55LLI 数据手册

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LP62S4096E-I Series  
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Document Title  
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
2.0  
Change VCCmax from 3.3V to 3.6V  
January 25, 2002  
Add product family and 55ns specification  
(January, 2002, Version 2.0)  
1
AMIC Technology, Inc.  

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