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LP62S4096FU-55LLTF

更新时间: 2024-11-07 19:20:19
品牌 Logo 应用领域
联笙电子 - AMICC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 161K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, 6 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, CSP-36

LP62S4096FU-55LLTF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:TFBGA, BGA36,6X8,30Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B36
长度:8 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-10 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA36,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.04 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:6 mm
Base Number Matches:1

LP62S4096FU-55LLTF 数据手册

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LP62S4096F-T Series  
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Document Title  
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
0.0  
0.1  
June 6, 2006  
Preliminary  
Initial issue  
November 17, 2006  
Change temperature from 0°C-70°C to -10°C-70°C  
Final version release  
1.0  
March 6, 2007  
Final  
(March, 2007, Version 1.0)  
AMIC Technology, Corp.  

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