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LP62S4096EU-55LLT

更新时间: 2024-01-16 21:01:06
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联笙电子 - AMICC 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 164K
描述
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM

LP62S4096EU-55LLT 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:TFBGA, BGA36,6X8,30Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B36
长度:8 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA封装等效代码:BGA36,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000003 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM宽度:6 mm
Base Number Matches:1

LP62S4096EU-55LLT 数据手册

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LP62S4096E-T Series  
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Document Title  
512K X 8 BIT LOW VOLTAGE CMOS SRAM  
Revision History  
Rev. No. History  
Issue Date  
Remark  
2.0  
Change VCCmax from 3.3V to 3.6V  
January 25, 2002  
Add product family and 55ns specification  
(January, 2002, Version 2.0)  
AMIC Technology, Inc.  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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