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LND150N3-G PDF预览

LND150N3-G

更新时间： 2024-10-19 14:43:11
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 598K
描述
30mA, 500V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92

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LND150N3-G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：0.99
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：0.03 A
最大漏源导通电阻：1000 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1 pFJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

LND150N3-G 数据手册

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Supertex inc.  
LND150  
N-Channel Depletion-Mode  
DMOS FET  
Features  
General Description  
The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode  
(normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS  
technology. The gate is ESD protected.  
►
►
►
►
►
►
►
Free from secondary breakdown  
Low power drive requirement  
Ease of paralleling  
Excellent thermal stability  
Integral source-drain diode  
High input impedance and low CISS  
ESD gate protection  
The LND150 is ideal for high voltage applications in the  
areas of normally-on switches, precision constant current  
sources, voltage ramp generation and amplification.  
Applications  
► Solid state relays  
► Normally-on switches  
► Converters  
► Power supply circuits  
► Constant current sources  
► Input protection circuits  
Product Summary  
Ordering Information  
RDS(ON)  
IDSS  
(min)  
BVDSX/BVDGX  
Part Number  
Package Options  
Packing  
(V)  
(max)  
LND150K1-G  
TO-236AB (SOT-23)  
TO-92  
3000/Reel  
1000/Bag  
2000/Reel  
2000/Reel  
2000/Reel  
2000/Reel  
2000/Reel  
2000/Reel  
500  
1.0kΩ  
1.0mA  
LND150N3-G  
LND150N3-G P002  
LND150N3-G P003  
LND150N3-G P005  
LND150N3-G P013  
LND150N3-G P014  
LND150N8-G  
TO-92  
Pin Configuration  
TO-92  
TO-92  
TO-92  
DRAIN  
TO-92  
SOURCE  
TO-243AA (SOT-89)  
GATE  
-G denotes a lead (Pb)-free / RoHS compliant package  
TO-92  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
SOURCE  
Value  
SOURCE  
Drain-to-source  
BVDSX  
BVDGX  
DRAIN  
DRAIN  
SOURCE  
GATE  
Drain-to-gate  
GATE  
Gate-to-source  
±20V  
TO-236AB (SOT-23)  
TO-243AA (SOT-89)  
Operating and storage temperature  
-55OC to +150OC  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may  
occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous operation  
of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All voltages are  
referenced to device ground.  
Product Marking  
SiLN  
D 1 5 0  
YYWW  
YY = Year Sealed  
WW = Week Sealed  
= “Green” Packaging  
W = Code for Week Sealed  
= “Green” Packaging  
W = Code for Week Sealed  
= “Green” Packaging  
NDEW  
LN1EW  
TO-236AB (SOT-23)  
TO-92  
TO-243AA (SOT-89)  
Packages may or may not include the following marks: Si or  
Doc.# DSFP-LND150  
C041114  
Supertex inc.  
www.supertex.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LND150N3GP002 MICROCHIP

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
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LND150N3GP003 MICROCHIP

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
LND150N3-GP003 SUPERTEX

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FET
LND150N3-GP005 SUPERTEX

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FET
LND150N3GP013 MICROCHIP

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
LND150N3-GP013 SUPERTEX

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LND150N3GP014 MICROCHIP

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
LND150N3-GP014 SUPERTEX

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FET
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 		N-Channel Depletion-Mode MOSFET

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