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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOT-89 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.85 | 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1000 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 1 pF | JEDEC-95代码： | TO-243AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| LND150N8GP002 | MICROCHIP |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs |
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| LND150N8GP003 | MICROCHIP |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs |
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| LND150N8GP013 | MICROCHIP |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs |
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| LND150N8GP014 | MICROCHIP |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs |
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| LND150ND | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode MOSFET |
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| LND1937 | LINEAR_DIMENSIONS |
获取价格 |
36V BOOST DC/DC LED DRIVER |
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| LND250 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode MOSFET |
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| LND250 | MICROCHIP |
获取价格 |
The LND250 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing |
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| LND250K1 | SUPERTEX |
获取价格 |
N-Channel Depletion-Mode MOSFET |
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| LND250K1-G | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.013A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox |
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