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LND150K1-G PDF预览

LND150K1-G

更新时间： 2024-10-19 12:48:47
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超科 - SUPERTEX /
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7页 651K
描述
N-Channel Depletion-Mode DMOS FET

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LND150K1-G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：8.43
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大漏极电流 (ID)：0.013 A
最大漏源导通电阻：1000 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：1 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

LND150K1-G 数据手册

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LND150  
N-Channel Depletion-Mode  
DMOS FET  
Features  
General Description  
The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode  
(normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS  
technology. The gate is ESD protected.  
►
►
►
►
►
►
►
Free from secondary breakdown  
Low power drive requirement  
Ease of paralleling  
Excellent thermal stability  
Integral source-drain diode  
High input impedance and low CISS  
ESD gate protection  
The LND150 is ideal for high voltage applications in the  
areas of normally-on switches, precision constant current  
sources, voltage ramp generation and amplification.  
Applications  
► Solid state relays  
► Normally-on switches  
► Converters  
► Power supply circuits  
► Constant current sources  
► Input protection circuits  
Ordering Information  
RDS(ON)  
IDSS  
Package Options  
BVDSX/BVDGX  
Device  
(max)  
(KΩ)  
(min)  
(mA)  
(V)  
TO-236AB (SOT-23)  
TO-92  
TO-243AA (SOT-89)  
LND150  
LND150K1-G  
LND150N3-G  
LND150N8-G  
500  
1.0  
1.0  
-G indicates package is RoHS compliant (‘Green’)  
Pin Configurations  
DRAIN  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
SOURCE  
Value  
BVDSX  
GATE  
Drain-to-source  
TO-92 (N3)  
Drain-to-gate  
BVDGX  
Gate-to-source  
±20V  
SOURCE  
SOURCE  
Operating and storage temperature  
Soldering temperature*  
-55OC to +150OC  
300OC  
DRAIN  
DRAIN  
Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device  
may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous  
operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All  
voltages are referenced to device ground.  
SOURCE  
GATE  
GATE  
TO-236AB (SOT-23) (K1)  
TO-243AA (SOT-89) (N8)  
*
Distance of 1.6mm from case for 10 seconds.  
Product Marking  
SiLN  
D 1 5 0  
YYWW  
YY = Year Sealed  
WW = Week Sealed  
= “Green” Packaging  
W = Code for Week Sealed  
= “Green” Packaging  
W = Code for Week Sealed  
= “Green” Packaging  
NDEW  
TO-236AB (SOT-23) (K1)  
LN1EW  
TO-92 (N3)  
TO-243AA (SOT-89) (N8)  
Packages may or may not include the following marks: Si or  
● 1235 Bordeaux Drive, Sunnyvale, CA 94089 ● Tel: 408-222-8888 ● www.supertex.com  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
LND150K1GP002 MICROCHIP

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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
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 		N-Channel Depletion-Mode DMOS FETs
LND150N3 SUPERTEX

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 		N-Channel Depletion-Mode MOSFET
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 		30mA, 500V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
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