LN66F

更新时间： 2024-10-19 22:31:11

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松下 - PANASONIC		二极管
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3页	44K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diode

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LN66F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.05 A
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
峰值波长：	950 nm	形状：	ROUND
尺寸：	5 mm	Base Number Matches：	1

LN66F 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN66F

GaAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

ø5.0±0.2

For light source of remote control systems

Features

High-power output, high-efficiency : I_e= 13.0 mW/sr (min.)

Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors

Narrow directivity : θ = 15 deg. (typ.)

2-1.0±0.15

2-0.6±0.15

Transparent epoxy resin package

2.54

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Cathode

2: Anode

Power dissipation

P_D

I_F

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

1.5

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +85

– 40 to +100

˚C

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

mW/sr

Radiant intensity at center

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Pulse forward voltage

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Half-power angle

I_e

I_F= 50mA

λ_P

∆λ

V_F

I_F= 50mA

950

I_F= 50mA

1.35

1.50

3.0

V_FP

I_FP= 1.0A

I_R

C_t

V_R= 3V

µA

V_R= 0V, f = 1MHz

The angle in which radiant intencity is 50%

deg.

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

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