LN77L

更新时间： 2024-10-19 22:31:11

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松下 - PANASONIC		红外LED 光电二极管
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描述
GaAlAs Infrared Light Emitting Diode

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LN77L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, LT5RL102-002, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.20.00
风险等级：	5.89	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.1 A	JESD-609代码：	e0
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	18 mW	峰值波长：	860 nm
形状：	ROUND	尺寸：	5 mm
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

LN77L 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN77L

GaAlAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

ø5.0±0.2

For optical control systems

Features

High-power output, high-efficiency : P_O= 18 mW (typ.)

Fast response and high-speed modulation capability :

f_C= 20 MHz (typ.)

2-0.8 max.

2-0.6±0.15

Wide directivity : θ = 20 deg. (typ.)

Transparent epoxy resin package

2.54

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Anode

2: Cathode

Power dissipation

P_D

I_F

190

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

100

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +85

–30 to +100

˚C

t_w= 10 µs, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

P_O

λ_P

∆λ

V_F

I_R

I_F= 50mA

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Half-power angle

I_F= 50mA

860

I_F= 50mA

I_F= 100mA

1.6

1.9

V_R= 3V

µA

The angle in which radiant intencity is 50%

I_FP= 50mA + 10mA_p-p

deg.

MHz

Cutoff frequency

f_C

P_O(f_CMHz)

P_O(1MHz)

^*Frequency when modulation optical power decreases by 3dB from 1MHz

10 log

(

= – 3

)

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