LN69

更新时间： 2024-10-19 22:31:11

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松下 - PANASONIC		红外LED 光电二极管
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2页	43K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diode

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LN69 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, LT3LR1N02-001, 2 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.20.00
风险等级：	5.85	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.05 A
JESD-609代码：	e0	功能数量：	1
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	峰值波长：	940 nm
形状：	ROUND	尺寸：	3 mm
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

LN69 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN69

GaAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

ø3.6±0.2

ø3.0±0.2

For optical control systems

Features

High-power output, high-efficiency : I_e= 3.5 mW/sr (min.)

Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors :

λ_P= 940 nm (typ.)

2-0.8 max.

Good radiant power output linearity with respect to input current

Long lifetime, high reliability

2-0.5±0.1

ø3 plastic package

0.5±0.1

2.54

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

ratings

Unit

1: Anode

2: Cathode

Power dissipation

P_D

I_F

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_FP

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +85

– 40 to +100

˚C

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

mW/sr

Cente radiant Intensity

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Half-power angle

I_e

λ_P

∆λ

V_F

I_R

I_F= 20mA

3.5

I_F= 50mA

940

I_F= 50mA

1.3

1.5

V_R= 3V

µA

C_t

V_R= 0V, f = 1MHz

The angle in which radiant intencity is 50%

deg.

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