LN66L

更新时间： 2024-10-19 22:31:11

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松下 - PANASONIC		二极管
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3页	45K
描述
GaAs Infrared Light Emitting Diode

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LN66L 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.6 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
标称输出功率：	8 mW	峰值波长：	950 nm
最大反向电压：	3 V	半导体材料：	GaAs
形状：	ROUND	尺寸：	5 mm
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	NO
视角：	50 deg

LN66L 数据手册

Infrared Light Emitting Diodes

LN66L

GaAs Infrared Light Emitting Diode

Unit : mm

ø5.0±0.2

For optical control systems

Features

High-power output, high-efficiency :P_O= 8 mW (typ.)

Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors

Good radiant power output linearity with respect to input current

Wide directivity : θ = 25 deg. (typ.)

2-0.8 max.

2-0.6±0.15

Transparent epoxy resin package

Long lead-wire type

2.54

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

1: Cathode

2: Anode

Power dissipation

P_D

I_F

160

100

Forward current (DC)

Pulse forward current

Reverse voltage (DC)

Operating ambient temperature

Storage temperature

I_FP

1.5

V_R

T_opr

T_stg

–25 to +85

– 40 to +100

˚C

f = 100 Hz, Duty cycle = 0.1 %

Electro-Optical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Radiant power

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

P_O

I_F= 50mA

Peak emission wavelength

Spectral half band width

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

Capacitance between pins

Half-power angle

λ_P

∆λ

V_F

I_R

I_F= 50mA

950

I_F= 50mA

I_F= 100mA

1.3

1.6

V_R= 3V

µA

C_t

V_R= 0V, f = 1MHz

The angle in which radiant intencity is 50%

deg.

^*P_OClassifications

Class

P_O(mW)

5 to 8

12 3

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