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LLE16120X

更新时间: 2024-09-16 22:31:11
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管微波
页数 文件大小 规格书
12页 76K
描述
NPN microwave power transistor

LLE16120X 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:15 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:23 W
最大功率耗散 (Abs):23 W最小功率增益 (Gp):8.7 dB
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

LLE16120X 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
LLE16120X  
NPN microwave power transistor  
1997 Feb 18  
Product specification  
Supersedes data of November 1994  

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