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LLE16120XTRAY

更新时间: 2024-09-17 13:01:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管微波
页数 文件大小 规格书
12页 76K
描述
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

LLE16120XTRAY 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最大集电极电流 (IC):0.1 A配置:SINGLE
最高频带:L BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
最小功率增益 (Gp):10 dB认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

LLE16120XTRAY 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
LLE16120X  
NPN microwave power transistor  
1997 Feb 18  
Product specification  
Supersedes data of November 1994  

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