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LGE2302

更新时间： 2024-01-08 19:31:56

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鲁光 - LGE		/
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LGE2302 技术参数

极性：	N channel	Pd(W)：	1.25
V(BR)DS_min(V)：	20	ID_max(A)：	2.8
Rds_max(Ω）：	0.085	@VGS(V)：	4.5
VTH(GS)：	0.6~1.2	PACKAGE：	SOT-23
class：	Transistors

LGE2302 数据手册

LGE2302

N-Channel 20-V(D-S) Mosfet

1. GATE

SOT-23

2. SOURCE

3. DRAIN

Features

TrenchFET Power MOSFET

Applications

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

Dimensions in inches and (millimeters)

MARKING: 2302

Maximum ratings (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±8

Continuous Drain Current

2.1

Continuous Source-Drain Current(Diode Conduction)

Power Dissipation

I_S

0.6

P_D

0.35

357

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤5s)

Operating Junction

R_θJA

T_J

150

℃

Storage Temperature

T_STG

-55 ~+150

http://www.lgesemi.com

Revision:20180501-P1

mail:lge@lgesemi.com

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