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LGE2303

更新时间： 2023-12-06 20:09:05

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
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场效应晶体管

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LGE2303 数据手册

2303

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES



Electrostatic Sensitive Devices.



V_DS(V) = -30V

I_D= -2.7A(V_GS=-10V)

R_DS(ON)< 190mΩ (V_GS= -10V)

R_DS(ON)< 330mΩ (V_GS= -4.5V)

APPLICATIONS



P-channel enhancement mode effect transistor.



Switching application.

SOT-23

ORDERING INFORMATION

Type No.

BL2303

Marking

2303

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

V_DSS

Drain-Source voltage

-30

V_GSS

Gate -Source voltage

±20

Continuous Drain Current

@T_C=25℃

@T_C=70℃

-2.7

-2.2

I_D

I_DM

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

-10

@T_C=25℃

@T_C=70℃

@T_A=25℃

@T_A=70℃

2.3

1.5

1.0

0.7

P_D

R_θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient

Junction and Storage Temperature

120

℃/W

T_J, Tstg

-55 to +150

℃

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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