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LGE2311

更新时间： 2023-12-06 20:00:05

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	833K
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场效应晶体管

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LGE2311 数据手册

2311

P-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

FEATURES



Super High Dense Cell Design for Extremely

Low R_DS(ON)



Reliable and Rugged

Electrostatic Sensitive Devices.

APPLICATIONS



Power Management in Notebook.

Portable Equipment.

SOT-23

Battery Powered System.

ORDERING INFORMATION

Type No.

BL2311

Marking

2311

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

V_DSS

Drain-Source voltage

-20

±8

V_GSS

Gate -Source voltage

Maximum Drain current

T^A=25℃

T^A=70℃

-4.2

-3.4

I_D

I_DM

P_D

Pulsed Drain current

Power Dissipation

-30

1.37

R_θJA

Thermal resistance,Junction-to-Ambient 90

Operating Junction and Storage

℃/W

T_J,T_stg

-55~+150

℃

Temperature Range

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

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