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LGE2304

更新时间： 2024-02-27 10:58:23

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鲁光 - LGE		/
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LGE2304 技术参数

极性：	N channel	Pd(W)：	0.75
V(BR)DS_min(V)：	30	ID_max(A)：	2.6
Rds_max(Ω）：	0.07	@VGS(V)：	10
VTH(GS)：	3	PACKAGE：	SOT-23
class：	Transistors

LGE2304 数据手册

LGE2304

N-Channel 30-V(D-S) Mosfet

1. GATE

SOT-23

2. SOURCE

3. DRAIN

Features

TrenchFET Power MOSFET

Applications

Load Switch for Portable Devices

DC/DC Converter

Dimensions in inches and (millimeters)

MARKING: S4

Maximum ratings (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

±20

Continuous Drain Current

3.3

Pulsed Drain Current

I_DM

I_S

Continuous Source-Drain Diode Current

Maximum Power Dissipation

Thermal Resistance from Junction to Ambient (t≤5s)

Storage Temperature

0.9

P_D

0.35

357

R_θJA

T_J

℃/W

150

℃

Junction Temperature

T_STG

-55 ~+150

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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