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LGE2301

更新时间： 2024-02-18 12:16:59

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鲁光 - LGE		/
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LGE2301 技术参数

极性：	P channel	Pd(W)：	0.7
V(BR)DS_min(V)：	-20	ID_max(A)：	-2
Rds_max(Ω）：	0.11	@VGS(V)：	-4.5
VTH(GS)：	-0.4~-1	PACKAGE：	SOT-23
class：	Transistors

LGE2301 数据手册

2301

P-Channel 20-V(D-S) Mosfet

DESCRIPTION

The 2301 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

GENERAL FEATURES

●

Schematic diagram

V^DS

RDS(O N) RDS(O N)

(Typ) (Typ)

-2.5V

-4.5V

-20V

64 mΩ

98 mΩ

-3

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface Mount Package

Marking and pin Assignment

Application

●PWM applications

●Load switch

SOT-23

●Power management

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

-20

V^DS

V^GS

I_D

±12

-3

Drain Current -Pulsed (Note 1)

-10

I_DM

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)

R_θJA

125

℃/W

Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

-20

-24

V_DS=-20V,V_GS=0V

-1

μA

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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