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LF411CN/NOPB

更新时间： 2024-11-21 21:04:35
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 506K
描述
IC OP-AMP, 2000 uV OFFSET-MAX, 4 MHz BAND WIDTH, PDIP8, DIP-8, Operational Amplifier

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LF411CN/NOPB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：7.86放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.0002 µA最小共模抑制比：70 dB
标称共模抑制比：100 dB频率补偿：YES
最大输入失调电流 (IIO)：0.025 µA最大输入失调电压：2000 µV
JESD-30 代码：R-PDIP-T8JESD-609代码：e3
长度：9.8171 mm低-偏置：YES
低-失调：NO湿度敏感等级：1
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm最小摆率：8 V/us
标称压摆率：15 V/us子类别：Operational Amplifier
最大压摆率：3.4 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：NO
技术：BIPOLAR温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40标称均一增益带宽：4000 kHz
最小电压增益：15000宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

LF411CN/NOPB 数据手册

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August 2000  
LF411  
Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier  
General Description  
Features  
n Internally trimmed offset voltage:  
n Input offset voltage drift:  
n Low input bias current:  
n Low input noise current:  
n Wide gain bandwidth:  
n High slew rate:  
0.5 mV(max)  
10 µV/˚C(max)  
50 pA  
These devices are low cost, high speed, JFET input opera-  
tional amplifiers with very low input offset voltage and guar-  
anteed input offset voltage drift. They require low supply  
current yet maintain a large gain bandwidth product and fast  
slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input  
devices provide very low input bias and offset currents. The  
LF411 is pin compatible with the standard LM741 allowing  
designers to immediately upgrade the overall performance of  
existing designs.  
√
0.01 pA/ Hz  
3 MHz(min)  
10V/µs(min)  
1.8 mA  
n Low supply current:  
n High input impedance:  
n Low total harmonic distortion:  
n Low 1/f noise corner:  
n Fast settling time to 0.01%:  
1012  
Ω
≤0.02%  
50 Hz  
2 µs  
These amplifiers may be used in applications such as high  
speed integrators, fast D/A converters, sample and hold  
circuits and many other circuits requiring low input offset  
voltage and drift, low input bias current, high input imped-  
ance, high slew rate and wide bandwidth.  
Typical Connection  
Connection Diagrams  
Metal Can Package  
00565505  
Note: Pin 4 connected to case.  
Top View  
Order Number LF411ACH  
or LF411MH/883 (Note 11)  
See NS Package Number H08A  
00565501  
Dual-In-Line Package  
Ordering Information  
LF411XYZ  
X indicates electrical grade  
Y indicates temperature range  
“M” for military  
“C” for commercial  
Z indicates package type  
“H” or “N”  
00565507  
Top View  
Order Number LF411ACN, LF411CN  
See NS Package Number N08E  
™
BI-FET II is a trademark of National Semiconductor Corporation.  
© 2004 National Semiconductor Corporation  
DS005655  
www.national.com  
1234567...13

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