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KTC3210

更新时间： 2024-11-17 22:47:27

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描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)

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KTC3210 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

KTC3210 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3210

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH CURRENT APPLICATION.

FEATURES

ᴌComplementary to KTA1282.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

0.85

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

I_E

Emitter Current

-2

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

625

ᴱ

T_j

150

T_stg

-55ᴕ150

TO-92

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=30V, I_E=0

Collector Cut-off Current

I_EBO

100

V_EB=5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

h_FE(Note)

V_CE(sat)

V_BE

I_C=10mA, I_B=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

DC Current Gain

I_C=1mA, I_C=0

V_CE=2V, I_C=500mA

I_C=1.5A, I_B=0.03A

V_CE=2V, I_C=500mA

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

100

320

2.0

1.0

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

f_T

Transition Frequency

120

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FEClassification 0:100ᴕ200, Y:160ᴕ320

1999. 9. 10

Revision No : 0

1/2

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