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KTC3265

更新时间： 2024-09-23 14:47:31

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
4页	771K
描述
SOT-23

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KTC3265 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	160
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3265 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23

KTC3265

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

1. BASE

2. EMITTER

High DC current gain

Complementary to KTA1298

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

800

200

625

℃/W

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

P_C

R_ΘJA

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

-55～+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= 100μA, I_E=0

I_C= 10mA, I_B=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100μA, I_C=0

V_CB=30 V, I_E=0

0.1

320

0.5

0.8

μA

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB=5 V, I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=1V, I_C= 100mA

I_C=500mA, I_B=20mA

V_CE=1V,I_C=10mA

100

0.5

Collector-emitter saturation voltage

base-emitter voltage

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=5V, I_C=10mA

f=100MHz

Transition frequency

120

MHz

f_T

Collector output capacitance

V_CB=10V,I_E=0,f=1MH_Z

C_ob

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

100-200

160-320

Range

Marking

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3 4

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