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KTC3211

更新时间： 2024-02-28 14:36:31

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KEC		晶体晶体管局域网
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2页	72K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT)

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KTC3211 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	120
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

KTC3211 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTC3211

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

HIGH CURRENT APPLICATION.

FEATURE

ᴌComplementary to KTA1283.

DIM MILLIMETERS

4.70 MAX

4.80 MAX

3.70 MAX

0.45

1.00

1.27

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

0.85

0.45

14.00 +0.50

0.55 MAX

2.30

0.45 MAX

1.00

1.5

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

625

ᴱ

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

T_j

150

T_stg

-55ᴕ150

ᴱ

TO-92

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_CB=35V, I_E=0

Collector Cut-off Current

100

I_EBO

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

h_FE(1)

V_EB=6V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

Collector-Base Breakdown Voltage

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C=100ỌA, I_E=0

I_C=2mA, I_B=0

V_CE=1V, I_C=5mA

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=1V, I_C=800mA

I_C=800mA, I_B=80mA

V_CE=1V, I_C=10mA

V_CE=10V, I_C=50mA

V_CB=10V, f=1MHz, I_E=0

135

160

110

0.28

0.98

0.66

190

h_FE(2) (Note)

h_FE(3)

DC Current Gain

300

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

0.5

1.2

1.0

f_T

Transition Frequency

100

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Note : h_FE(2) Classification O:85ᴕ160 , Y:120ᴕ200 , GR:160ᴕ300

1999. 11. 30

Revision No : 2

1/2

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