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KTC3265

更新时间： 2024-02-01 03:00:24

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	217K
描述
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

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KTC3265 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.69
Base Number Matches：	1

KTC3265 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

KTC3265

FEATURES

Lead-free

High DC current gain: h_FE:100-320

Low saturation voltage.

Suitable for driver stage of small motor.

Complementary to KTC1298.

Small package.

APPLICATIONS

SOT-23

Low frequency power amplifier application.

Power switching application.

ORDERING INFORMATION

Type No.

KTC3265

Marking

EO/EY

Package Code

SOT-23

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Base Current

800

160

200

-55~150

℃

I_B

Collector Power Dissipation

Junction and Storage Temperature

P_C

T_j,T_stg

Document number: BL/SSSTC109

Rev.A

www.galaxycn.com

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