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KTC3207

更新时间： 2024-11-18 12:36:43

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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KTC3207 数据手册

RoHS

KTC3207

TO-92L

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

KTC3207 TRANSISTOR (NPN)

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

100

300

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= 1mA, I_E=0

MIN

300

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 10mA, I_B=0

I_E= 1mA, I_C=0

V_CB=240V, I_E=0

V_EB= 7V, I_C=0

1.0

µA

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE= 10V, I_C= 4mA

V_CE= 10V, I_C= 20mA

I_C= 10mA, I_B= 1mA

DC current gain

h_FE(2)

150

1.0

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= 10V, I_C= 20mA

MHz

V_CB=20V, I_E=0, f=1MH_Z

3.0

Collector Output Capacitance

C_ob

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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