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KTC3209-Y

更新时间： 2024-02-10 12:03:14

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NPN Transistors

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KTC3209-Y 数据手册

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DIP Type

Transistors

NPN Transistors

KTC3209

TO-92L

Unit:mm

4.9 ± 0.2

0.7 ±0.1

■ Features

● Low Saturation Voltage

● High Speed Switching Time

● Complementary to KTA1281

0.45 ±0.1

2

1

3

1.27

2.54 ±0.1

1.60 ^(max)

Emitter

1.

2.Collector

3.Base

4.0(min)

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

50

50

5

V

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I

C

2

A

P

C

1

W

T

J

150

℃

Storage Temperature Range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

50

50

5

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= 1 mA， I

Ic= 10 mA，I

= 1 mA， I

CB= 50V , I

EB= 5V , I =0

E= 0

B=0

I

E

C= 0

I

CBO

EBO

V

V

E= 0

0.1

0.1

0.5

1.2

240

uA

V

I

C

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=1 A, I

B

=50mA

=50mA

V

C

=1 A, I

B

V

V

CE= 2V, I

CE= 2V, I

C

=500mA

=1.5 A

70

40

DC current gain

hFE

C

Turn On Time

Storage Time

Fall Time

t

on

0.1

1

us

t

stg

t

f

0.1

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

V

V

CB= 10V, I

E

= 0,f=1MHz

30

pF

f

CE= 2V, I = 500mA

C

100

MHz

■ Classification of hfe(1)

Type

KTC3209-O

KTC3209-Y

120-240

Range

70-140

1

www.kexin.com.cn

12 3

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