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KST2484D87Z

更新时间： 2024-01-31 12:53:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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KST2484D87Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.79
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KST2484D87Z 数据手册

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KST2484  
Low Noise Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
60  
Units  
V
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
60  
V
CEO  
EBO  
6
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
350  
150  
C
T
Storage Temperature  
STG  
• Refer to KSP5088 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I =10µA, I =0  
60  
60  
5
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=45V, I =0  
10  
10  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
V
V
=5V, I =1mA  
250  
FE  
CE  
CE  
C
=5V, I =10mA  
800  
0.35  
0.95  
6
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
I =1mA, I =0.1mA  
V
V
CE  
C
B
I =1mA, V =5V  
BE  
C
CE  
C
V
=5.0V, I =0, f=1MHz,  
pF  
dB  
ob  
CB  
E
NF  
Noise Figure  
I =10µA, V =5V  
3
C
CE  
R =10KΩ, f=1KHz  
S
Marking  
1U  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2001  
123

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与KST2484D87Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST2484L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KST2484MTF FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL
KST2484TF SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silico
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silico
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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SO

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