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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.78 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.3 A | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD227Y | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| KSD227-Y | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| KSD227YBU | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| KSD227YBU | ROCHESTER |
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300mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| KSD227YD26Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD227YD74Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD227YD75Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD227YJ05Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSD227YJ18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| KSD227YTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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