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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KSD261R | FAIRCHILD |
功能相似  |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSD261 | FAIRCHILD |
功能相似 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSD261_04 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| KSD261CGBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSD261CGTA | ROCHESTER |
获取价格 |
500mA, 20V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
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| KSD261CGTA | ONSEMI |
获取价格 |
NPN外延硅晶体管 |
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| KSD261CGTA_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
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| KSD261CO | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD261COBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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| KSD261CYBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
|
| KSD261CYTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
Low Frequency Power Amplifier |
|
| KSD261D27Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 |
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