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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSD261R
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KSD261R

更新时间： 2024-02-23 00:07:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 40K
描述
Low Frequency Power Amplifier

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KSD261R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.78Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSD261R 数据手册

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KSD261  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
•
Complement to KSA643  
Collector Power Dissipation : P =500mW  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
20  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
500  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
500  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
40  
20  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=25V, I =0  
0.1  
0.1  
400  
0.4  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=1V, I =0.1A  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =0.5A, I =50mA  
0.18  
V
CE  
C
B
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
120 ~ 240  
G
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
200 ~ 400  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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