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KSD227Y PDF预览

KSD227Y

更新时间： 2024-11-12 20:00:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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KSD227Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.3 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSD227Y 数据手册

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KSD227  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
Complement to KSA642  
Collector Power Dissipation : P =400mW  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
300  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
400  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
30  
25  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =10mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=25V, I =0  
0.1  
0.1  
400  
0.4  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
=3V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=1V, I =50mA  
70  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =300mA, I =30mA  
0.14  
V
CE  
C
B
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSD227-Y SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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