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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> KSC2755Y
KSC2755Y PDF预览

KSC2755Y

更新时间： 2024-11-21 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管电视光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 80K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN

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KSC2755Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：0.02 A
基于收集器的最大容量：0.5 pF集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：600 MHz
Base Number Matches：1

KSC2755Y 数据手册

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KSC2755  
RF AMP, FOR VHF &TV TUNER  
•
•
•
Low NF, High G  
3
PE  
Forward AGC Capability to 30 dB  
NF=2.0dB (TYP.), G =23dB (TYP.) at f=200MHz  
PE  
2
1
SOT-23  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
30  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
20  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.1  
Units  
I
V
V
V
=20V, I =0  
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
E
h
=10V, I =3mA  
60  
120  
600  
0.3  
23  
240  
FE  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Power Gain  
=10V, I =3mA  
400  
MHz  
pF  
T
C
C
f=1MHz, V =10V, I =0  
0.5  
RE  
CB  
E
G
V
=10V, I =3mA  
20  
dB  
PE  
CE  
C
f=200MHz  
I
AGC Current  
Noise Figure  
f=200MHz  
-10  
2.0  
-12  
0.3  
mA  
dB  
AGC  
I
at G = -30dB  
R
E
NF  
V
=10V, I =3mA  
CE C  
f=200MHz  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
60 ~ 120  
90 ~ 180  
120 ~ 240  
FE  
Marking  
H1O  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC2755-Y SAMSUNG

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