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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.03 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.5 pF | 集电极-发射极最大电压： | 20 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 850 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2756-O | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2756OD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2756OMTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
|
| KSC2756OS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
|
| KSC2756-R | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2756RD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2756RMTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2756RS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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| KSC2756TF | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SO |
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| KSC2756-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silic |
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