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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> KSC2756RMTF
KSC2756RMTF PDF预览

KSC2756RMTF

更新时间： 2024-11-21 12:59:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管电视光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 79K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN,

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KSC2756RMTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.03 A基于收集器的最大容量：0.5 pF
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：850 MHz
Base Number Matches：1

KSC2756RMTF 数据手册

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KSC2756  
Mixer for VHF TV Tuner  
•
High Conversion Gain : G = 23dB (TYP.)  
CE  
3
2
1
SOT-23  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
CBO  
20  
V
CEO  
EBO  
4
30  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
C
T
T
150  
J
-55 ~ +150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.1  
Units  
I
V
V
=20V, I =0  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
=10V, I =5mA  
60  
500  
15  
120  
240  
0.5  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Conversion Gain  
I =10mA, I =1mA  
V
MHz  
pF  
CE  
C
B
f
V
=10V, I =5mA  
850  
0.35  
23  
T
CE  
CB  
CE  
C
C
V
V
=10V, I =0, f=1MHz  
0.5  
RE  
E
G
=10V, I =3mA  
dB  
CE  
C
f
=200MHz, f =58MHz  
IF  
RF  
NF  
Noise Figure  
V
=10V, I =3mA  
6.5  
dB  
CE  
C
f
=200MHz, f =58MHz  
RF  
IF  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
60 ~ 120  
90 ~ 180  
120 ~ 240  
FE  
Marking  
H2O  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC2756RS62Z FAIRCHILD

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