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KSC2758D87Z

更新时间： 2024-11-25 15:36:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 125K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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KSC2758D87Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.02 A基于收集器的最大容量：0.8 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1000 MHzBase Number Matches：1

KSC2758D87Z 数据手册

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KSC2758  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
RF. MIXER FOR UHF TUNER  
· HIGH POWER GAIN Typ. 17dB  
· LOW NF Typ. 2.8dB  
SOT-23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCBO  
30  
25  
4
20  
150  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
°C  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
150  
-55 ~ 150  
TSTG  
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
mA  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Noise Figure  
ICBO  
hFE  
fT  
COB  
NF  
VCB=25V, IE=0  
0.1  
240  
VCE=10V, IC=3mA  
VCE=10V, IE=3mA  
f=1MHz, VCB=10V, IE=0  
VCB=10V, IE=3mA  
f=900Mhz  
VCB=10V, IE=3mA,  
f=900MHz  
Gpb AGC=IE of Gpb-30dB  
60  
120  
1000  
0.6  
MHz  
pF  
dB  
750  
14  
0.8  
4.5  
2.8  
dB  
Power Gain  
GPB  
IAGC  
17  
-8  
mA  
AGC Current  
-11  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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