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KSC2759RD87Z

更新时间： 2024-11-25 14:43:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	107K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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KSC2759RD87Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	1.3 pF
集电极-发射极最大电压：	14 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2000 MHz	Base Number Matches：	1

KSC2759RD87Z 数据手册

KSC2759

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

MIXER, OSCILLATOR FOR UHF TUNER

SOT-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

V_CBO

°C

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_J

150

-55~150

T_STG

1. Base 2. Emitter 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

I_CBO

h_FE

f_T

C_OB

G_CB

V_CB=15V, I_E=0

0.1

180

V_CE=10V, I_C=5mA

V_CB=10V, I_E=0. f=1MHz

V_CB=10V, I_E=5mA

f_RF=900MHz, f_OSC=935MHz

115dB

1.5

100

GHz

1.3

Conversion Gain

12.5

h_FECLASSIFICATION

Classification

h_FE

40-80

60-120

90-180

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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