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KSA1201

更新时间： 2024-01-14 11:03:05

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科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	50K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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KSA1201 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-89
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.47	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

KSA1201 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Epitaxial Silicon Transistor

KSA1201

Features

Collector-Emitter Voltage: VCEO= -120V

fT=120MHz

Collector Power Dissipation PC=1 to 2W : Mounted on Ceramic Board

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-120

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-120

-5

-800

Base Current

I^B

-160

P^C

500

Collector Power Dissipation

P^C*

1,000

150

Junction Temperature

Storage Temperature

T^J

TSTG

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Collector-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Symbol

B^VCEO

B^VEBO

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

IC= -10mA, IB=0

120

-5

IE= -1mA, IC=0

VCB= -120V, IE=0

-100

240

-1.0

Emitter Cut-off Current

I^EBO

VBE= -5V, IC=0

DC Current Gain

h^FE

VCE= -5V, IC= -100mA

IC= -500mA, IB=-50mA

VCE= -5V, IC= -500mA

VCE= -5V, IC= -100mA

VCB= -10V, IE=0, f=1MHz

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

V^{CE (sat)}

V^{BE (on)}

f^T

120

MHz

C^ob

hFE Classification

Marking

Rank

SDO

SDY

Type

80 160

120 240

www.kexin.com.cn

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KSA1201OTF	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
KSA1201Y	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89
KSA1201YTF	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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