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| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.62 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 1.2 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 175 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA1220AYS | FAIRCHILD |
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Audio Frequency Power Amplifier High Frequency Power Amplifier |
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| KSA1220AYS | ONSEMI |
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PNP外延硅晶体管 |
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| KSA1220AYSTSTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSA1220YSTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSA1241 | FAIRCHILD |
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Power Amplifier Applications |
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| KSA1241 | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| KSA1241-I | SAMSUNG |
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Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3 |
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| KSA1241O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, I |
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| KSA1241-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KSA1241-O-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3 |
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