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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1241
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KSA1241

更新时间： 2024-09-22 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
Power Amplifier Applications

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KSA1241 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.88
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：10 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz最大关闭时间（toff）：1100 ns
最大开启时间（吨）：100 nsBase Number Matches：1

KSA1241 数据手册

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KSA1241  
Power Amplifier Applications  
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Complement to KSC3076  
1
I-PACK  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
- 55  
V
V
CBO  
- 50  
CEO  
EBO  
- 5  
V
I
I
- 1  
A
B
Collector Current  
- 2  
A
C
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1
10  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
= - 10mA, I = 0  
- 50  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
V
V
= - 50V, I = 0  
- 1  
- 1  
µA  
CB  
E
= - 5V, I = 0  
µA  
EB  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= - 2V, I = - 0.5A  
70  
40  
240  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= - 1A, I = - 0.05A  
- 0.5  
- 1.2  
V
V
CE  
C
C
B
= - 1A, I = - 0.05A  
BE  
B
f
V
V
V
= - 2V, I = - 0.5A  
100  
40  
0.1  
1
MHz  
pF  
µs  
T
CE  
CB  
CC  
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
ob  
t
t
t
Turn ON Time  
= - 30, I = - 1A  
C
ON  
I
= - I = - 0.05A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 30Ω  
L
Fall Time  
0.1  
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
123

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