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KSA1243Y PDF预览

KSA1243Y

更新时间： 2024-09-23 21:19:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, IPAK-3

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KSA1243Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：10 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KSA1243Y 数据手册

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KSA1243  
Power Amplifier Applications  
•
Complement to KSC3073  
1
I-PACK  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
- 30  
V
CEO  
EBO  
- 5  
V
I
I
- 0.6  
- 3  
A
B
Collector Current  
A
C
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
10  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
- 30  
- 5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
= - 10mA, I = 0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I = - 1mA, I = 0  
E C  
I
I
V
= - 20V, I = 0  
- 1  
- 1  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
V
= - 5V, I = 0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= - 2V, I = - 0.5A  
70  
25  
240  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 2.5A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter ON Voltage  
I
= - 2A, I = - 0.2A  
- 0.3  
- 0.75  
100  
- 0.8  
- 1  
V
V
CE  
C
B
V
V
V
= - 2V, I = - 0.5A  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
= - 2V, I = - 0.5A  
MHz  
pF  
T
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
40  
ob  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE1  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1243-Y SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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