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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSA1242OTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic/ |
|
| KSA1242Y | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSA1242-Y | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| KSA1242-Y-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| KSA1242YTU | ROCHESTER |
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5A, 20V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 |
|
| KSA1242YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic/ |
|
| KSA1243 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
|
| KSA1243 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3 |
|
| KSA1243-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, IPAK-3 |
|
| KSA1243O | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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