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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSA1242OTU
KSA1242OTU PDF预览

KSA1242OTU

更新时间： 2024-02-17 14:43:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器闪光灯
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

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KSA1242OTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-251包装说明：IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.43最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-251
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：180 MHzBase Number Matches：1

KSA1242OTU 数据手册

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KSA1242  
Medium Power Amplifier  
Camera Flash Applications  
•
•
•
h
h
= 100~320 (V = -2V, I = -0.5V)  
FE  
CE C  
= 70 (Min.) (V = -2V, I = -4A)  
FE  
CE  
C
Low Saturation Voltage: V (sat) = -1V (Max.)  
CE  
1
I-PAK  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
- 35  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
V
V
CBO  
- 20  
CEO  
EBO  
- 8  
V
I
I
- 5  
A
C
- 8  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
10  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I
= - 10mA, I = 0  
- 20  
- 8  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I = - 1mA, I = 0  
E C  
I
I
V
= - 35V, I = 0  
- 100  
- 100  
320  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
V
= - 8V, I = 0  
C
h
h
DC Current Gain  
V
V
= - 2V, I = - 0.5A  
100  
70  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 2V, I = - 4A  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I
= - 4A, I = - 0.1A  
- 1  
V
V
CE  
C
B
V
V
V
= - 2V, I = - 4A  
- 1.5  
BE  
CE  
CE  
CB  
C
f
Current Gain Bandwidth Product  
Collector Output Capacitance  
= - 2V, I = - 0.5A  
180  
50  
MHz  
pF  
T
C
C
= - 10V, f = 1MHz  
ob  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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