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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1203
KSA1203 PDF预览

KSA1203

更新时间： 2024-01-10 21:16:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
Low Frequency Power Amplifier

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KSA1203 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-89
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

KSA1203 数据手册

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KSA1203  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
•
3W Output application  
Collector Power Dissipation P =1~2W : Mounted on Ceramic Board  
Complement to KSC2883  
C
SOT-89  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
A
A
CBO  
-30  
CEO  
EBO  
-5  
I
I
-1.5  
-0.3  
C
Base Current  
B
P
P *  
Collector Power Dissipation  
500  
1,000  
mW  
mW  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
* Mounted on Ceramic Board (250mm2 × 0.8mm)  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
-30  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I = -10mA, I =0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I = -1mA, I =0  
E C  
I
I
V
= -30V, I =0  
-100  
-100  
320  
-2.0  
-1.0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -2V, I = -500mA  
100  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -1.5A, I = -30mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
= -2V, I = -500mA  
C
CE  
CE  
CB  
f
V
V
= -2V, I = -500mA  
120  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
50  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE  
Marking  
SGX  
h
grade  
FE  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, June 2004  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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