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KSA1220AOS PDF预览

KSA1220AOS

更新时间： 2024-01-19 17:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 75K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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KSA1220AOS 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.56最大集电极电流 (IC)：1.2 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT APPLICABLE元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：175 MHz

KSA1220AOS 数据手册

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KSA1220/1220A  
Audio Frequency Power Amplifier  
High Frequency Power Amplifier  
•
Complement to KSC2690/KSC2690A  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: KSA1220  
: KSA1220A  
- 120  
- 160  
V
V
CBO  
: KSA1220  
: KSA1220A  
- 120  
- 160  
V
V
CEO  
EBO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current  
- 5  
- 1.2  
- 2.5  
- 0.3  
1.2  
V
A
I
I
I
C
A
CP  
B
A
P
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
20  
C
C
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤10ms, Duty Cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
- 1  
Units  
µA  
I
I
V
V
= - 120V, I = 0  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= - 3V, I = 0  
- 1  
µA  
C
h
h
V
V
= - 5V, I = - 5mA  
35  
60  
150  
140  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= - 5V, I = - 0.3A  
320  
- 0.7  
- 1.3  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
I
= - 1A, I = - 0.2A  
- 0.4  
- 1  
V
V
CE  
C
C
B
= - 1A, I = - 0.2A  
BE  
B
f
V
= - 5V, I = - 0.2A  
175  
26  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
= - 10, I = 0  
E
ob  
CB  
f = 1MHz  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE2  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
12345

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