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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1201OTF
KSA1201OTF PDF预览

KSA1201OTF

更新时间： 2024-02-07 06:21:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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KSA1201OTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-89
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.47最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

KSA1201OTF 数据手册

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KSA1201  
Power Amplifier  
•
•
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= -120V  
CEO  
f =120MHz  
T
Collector Power Dissipation P =1~2W : Mounted on Ceramic Board  
Complement to KSC2881  
C
SOT-89  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-120  
-120  
-5  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
I
-800  
-160  
mA  
mA  
C
Base Current  
B
P
Collector Power Dissipation  
500  
1,000  
mW  
mW  
C
P *  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
* Mounted on Ceramic Board (250mm2 x 0.8mm)  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
-120  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I = -10mA, I =0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I = -1mA, I =0  
E C  
I
I
V
= -120V, I =0  
-100  
-100  
240  
-1.0  
-1.0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -5V, I = -100mA  
80  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -500mA, I =-50mA  
V
V
CE  
C
B
V
= -5V, I = -500mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
= -5V, I = -100mA  
120  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
30  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
80 ~ 160  
120 ~ 240  
FE  
Marking  
SDX  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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