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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1203OTF
KSA1203OTF PDF预览

KSA1203OTF

更新时间： 2024-09-23 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
5页 427K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE, SOT-89, 3 PIN

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KSA1203OTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-89包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：120 MHz
Base Number Matches：1

KSA1203OTF 数据手册

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July 2005  
KSA1203  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
•
3W Output application  
Collector Power Dissipation PC=1~2W : Mounted on Ceramic Board  
Complement to KSC2883  
Marking  
1 2  
P Y  
0 3  
W W  
SOT-89  
1
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Weekly code  
Year code  
hFE grage  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-30  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
A
A
VCEO  
VEBO  
IC  
-30  
-5  
-1.5  
IB  
Base Current  
-0.3  
PC  
PC*  
Collector Power Dissipation  
500  
1,000  
mW  
mW  
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
TSTG  
-55 ~ 150  
* Mounted on Ceramic Board (250mm2 × 0.8mm)  
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
IC = -10mA, IB = 0  
-30  
V
IE = -1mA, IC = 0  
-5  
V
VCB = -30V, IE = 0  
-100  
-100  
320  
-2.0  
-1.0  
nA  
nA  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
VBE = -5V, IC = 0  
hFE  
DC Current Gain  
VCE = -2V, IC = -500mA  
IC = -1.5A, IB = -30mA  
VCE = -2V, IC = -500mA  
VCE = -2V, IC = -500mA  
100  
V
V
CE (sat)  
BE (on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
V
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
120  
MHz  
pF  
Cob  
VCB = -10V, IE = 0, f = 1MHz  
50  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSA1203 Rev. B3  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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