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KSA1182D87Z

更新时间： 2024-02-26 12:18:27

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KSA1182D87Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

KSA1182D87Z 数据手册

KSA1182

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

· Complement to KSC2859

SOT-23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A=25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

V_CBO

-35

-30

-5

-500

150

°C

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_J

T_STG

-55 ~ 150

1. Base 2. Emitter 3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C)

Characteristic

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE1

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

V_CB= -35, I_E=0

V_EB= -5V, I_C=0

-0.1

240

V_CE= -1V, I_C= -100mA

V _CE= -6V, I_C= -400mA

I_C= -100mA, I_B= -10mA

I_C= -100mA, V_CE= -1V

I_C= -20mA, V_CE= -6V

V_CB= -6V, I_E= 0

h_FE2

MHz

V_CE(sat)

V_BE(on)

f_T

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter On Voltage

Current Gain-Bandwidth Product

Output Capacitance

-0.1

-0.8

200

-0.25

-1.0

C_OB

f=1MHz

h_FECLASSIFICATION

Classification

h_FE(1)

70-140

120-240

Rev. B

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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