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KSA1201

更新时间： 2024-09-21 22:32:07
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
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描述
Power Amplifier

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KSA1201 数据手册

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KSA1201  
Power Amplifier  
•
•
•
•
Collector-Emitter Voltage: V  
= -120V  
CEO  
f =120MHz  
T
Collector Power Dissipation P =1~2W : Mounted on Ceramic Board  
Complement to KSC2881  
C
SOT-89  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-120  
-120  
-5  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
V
I
I
-800  
-160  
mA  
mA  
C
Base Current  
B
P
Collector Power Dissipation  
500  
1,000  
mW  
mW  
C
P *  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
J
-55 ~ 150  
STG  
* Mounted on Ceramic Board (250mm2 x 0.8mm)  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
-120  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
I = -10mA, I =0  
V
V
CEO  
EBO  
C
B
BV  
I = -1mA, I =0  
E C  
I
I
V
= -120V, I =0  
-100  
-100  
240  
-1.0  
-1.0  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
BE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
= -5V, I = -100mA  
80  
FE  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -500mA, I =-50mA  
V
V
CE  
C
B
V
= -5V, I = -500mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
= -5V, I = -100mA  
120  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
30  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
80 ~ 160  
120 ~ 240  
FE  
Marking  
SDX  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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