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KSA1182 PDF预览

KSA1182

更新时间： 2024-01-20 06:08:48
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 60K
描述
Low Frequency Power Amplifier

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KSA1182 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.48
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

KSA1182 数据手册

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KSA1182  
Low Frequency Power Amplifier  
•
Complement to KSC2859  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-35  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-30  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-500  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-0.1  
-0.1  
240  
Units  
I
I
V
V
= -35V, I =0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= -5V, I =0  
C
h
h
V
V
= -1V, I = -100mA  
70  
25  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -6V, I = -400mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -100mA, I = -10mA  
-0.1  
-0.8  
200  
13  
-0.25  
-1.0  
V
V
CE  
BE  
C
B
V
= -1V , I = -100mA  
C
CE  
CE  
CB  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
= -6V, I = -20mA  
MHz  
pF  
T
C
C
= -6V, I = 0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE1  
Marking  
F10  
h
grade  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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KSA1182 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBTA55LT1G ONSEMI

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