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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA1150G
KSA1150G PDF预览

KSA1150G

更新时间： 2024-11-08 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92S, 3 PIN

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KSA1150G 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92S包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.91Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSA1150G 数据手册

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KSA1150  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
Collector Dissipation : P = 300mW  
Complement to KSC2710  
C
TO-92S  
1.Emitter 2. Collector 3. Base  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
CBO  
-20  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
I
-500  
-700  
300  
mA  
mA  
mW  
°C  
C
* Collector Current (Pulse)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
CP  
P
C
J
T
150  
T
Storage Temperature  
-55 ~ 150  
°C  
STG  
* PW≤350ms, Duty cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-40  
-20  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA, I =0  
C B  
I = -100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -25V, I =0  
-100  
-100  
400  
-0.4  
-1.3  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -3V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
= -1V, I = -100mA  
40  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.3  
-1.0  
V
V
CE  
C
B
I = -500mA, I = -50mA  
BE  
C
B
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty cycle≤2%  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
120 ~ 240  
G
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
200 ~ 400  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA1150-G SAMSUNG

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